1、一旦继电器闭合，由于继电器线圈产生热量的原因，接触电势会随时间而变化。
2、等待读数稳定，并验证该通道的接触电势在技术指标范围之内。
3、本文讨论了水库拦鱼电栅的电势分布，绘出了电栅阵列的等势面。
4、模型包括离子连续性方程、动量方程和泊松方程，特别是提出了可以自洽地决定绝缘基板表面电势、表面电荷密度和鞘层厚度关系的等效电路方程。
5、前人们所做的就是他们说让我们确定，一个能量单位用来代表一单位电荷，加速穿过形成的一单位电势差，我们叫它电子伏特。
6、实验发现，氢氧化铁胶体的电泳速度随温度的升高而增加，但其?电势几乎与温度无关。
7、本文测定设计的两个过程中同一分子离子的表观电势，用质谱法测定出分子的离解能。
8、本文推导了电负性电荷与静电势电荷的关系，并把电负性电荷用于分子力学计算。
9、在倾斜磁场中，电子和离子密度分布以及静电势的变化非常小。
10、本文根据电磁场理论，引出电磁流量计的基本方程和电极电势的计算公式。
11、负耗阻性管由栅极和极电势组成的四极管，其中当极电流降低时极电势反而增加。
12、我们把碳纳米管放在磁性电极之间。然后我们发现被碳纳米管捕捉的单电子自旋方向可以被电势直接控制。
13、存在一个由消耗电压与接触电势差导致的系统误差。
14、分布板外环区单独进气时，随气速增加，流化床内负静电势区域逐渐扩大。
15、若需验证某个开关卡的技术指标，可利用灵敏的伏特计测得其接触电势。
16、电场由电势方程近似反映，只考虑周向自感应磁场。
17、例如，在测量小直流电压的系统中，开关的接触电势将会被叠加到信号上。
18、分析了目前主要的交叉耦合电势解耦方法及解耦控制原理和特点，重点讨论了源于化工过程控制的内模解耦方法。
19、通过具体例子的计算和讨论，揭示了静电场中的电势能、相互作用能和静电能之间的联系和区别。
20、在毛细管电泳中驱动每中分析物的原动力是：每种分析物的离子电荷数、缓冲液中离子的迁移能力，以及毛细管内的电势差。
21、这个框架由以下几部分组成：决定缺陷浓度的非线性微分方程，静电势函数和内应力。
22、文章讨论均匀带电宽圆环在轴线上和空间任一点的静电势。
23、第二，研究了静电引发剂对气固流化床静电势分布的变化的影响。
24、通过对蛋白整体静电势的计算解释了蛋白质的热稳定性。
25、该文针对双馈发电机提出了一种结合稳态的分析与瞬时采样定向和控制的方法，称为准稳态转子感应电势定向的控制方法。
26、由计算机回归校正，提出了计算矩形地网最大接触电势的公式，它较为准确，可供修订接地规程时参考。
27、用动电位扫描法将其与传统的二氧化铅，铂等阳极材料进行比较，发现它具有更高的氧过电势。
28、基于微溶盐电极的反应实质，其标准电极电势很容易计算，并且可以推广计算其它类型电极的标准电极电势。
29、结果表明，形变势和压电势提升了电子能级，而且使简并能级分裂。
30、在此基础上研究了利用谐波反电势信号实现混合式步进电动机闭环控制的方法，设计了步进电动机的微机控制系统。
31、采用变磁阻法改变初级线圈的磁通，在次级绕组上得到相应的感应电势。
32、镍作参比电极在氢氧化钾溶液中的电极电势稳定。
33、根据点电荷电势和场的叠加原理，导出了均匀带电细圆环电势和电场的级数表达式。
34、当被增加到信号上时，则很容易计算出该接触电势对测量准确度的影响。
35、选用大同煤和神木煤制备水煤浆，考察了超声辐照前后水煤浆浆体的动电势变化。
36、给出了一种利用霍尔效应测量螺线管磁场的新方法：用数字电压表取代电位差计等诸多仪器测量霍尔电势差，进而计算出通电长直螺线管内轴向磁场的分布。
37、在切换低电压信号时，为了补偿接触电势，可以在一个未使用的通道上安装一个清洁的铜短路线。
38、在这种方法中，基本未知量不仅包括机械位移、电势和磁势，还采用了某些应力分量、电位移和磁感应强度。
39、如果这一误差相对于源信号或测量值非常大，则可测量接触电势，并对其进行补偿，以保证系统准确度。
40、介绍了熔丝法铂铑偶丝热电势自动测量系统的功能与实现方法。
41、实验结果表明：在化学成熟过程中，敏化中心的平衡电极电势的变化与感光层光敏度的变化趋势极为相似。
42、通过分析电四极矩的两个定义的异同，举例分析它们求电势的方法。
43、最后，结合气固流化床内静电分布的实验和机理，对气固流化床内静电势分布数学模型的建立进行了初步探索。
44、用电极电势、能斯特方程式和超电势等，论述了铝板的阳极氧化机理。
45、该误差电压就是所谓的接触电势或偏移电压。
46、原电池中具备较低电势的金属是阳极的而且会受到腐蚀。
47、然而，开关的接触电势对测量小电流的系统影响很小。
48、由于锌的正向反应产生较大的负电势……
49、讨论了导体球外存在点电荷时空间的电势分布、导体球表面的电荷密度、点电荷与导体球之间的相互作用力，结果给出即使导体球与点电荷带同种电荷也可以相互吸引。
50、由于电流通过变阻器的全部电阻丝，故、之间任意两点都有电势差。
51、颗粒浓度越大，单位体积所带的电荷越多，导致静电势值越大，反之亦然。
52、通过调节门电压可以较好地控制静电势孤子的形状及其位置，从而达到对电荷孤子的有效控制。
53、因此，能够适当地抑制在浮置状态传送臂的表面电势的提升。
54、结果：获得相关分子轨道、电荷分布和分子静电势的信息。
55、电子密度梯度直接影响密度涨落，并通过杂质辐射与温度涨落相互耦合，进而影响静电势涨落。
56、根据电势的叠加原理，导出了均匀带电薄圆盘电势的级数表达式，并进而给出了等势面方程。
57、本文是从电多极矩的物理意义的考虑，而用增补电荷的办法，推演出分布在小区域内的电荷系统在远处所产生的电势。
58、将此方法应用于氧化还原计算程序中对标准电极电势库的调用，妥善地解决了数据源配置问题。
59、当确定电化学电极或电池的电势的时候，为了保证测量的准确度，测量必须在不从电池吸取任何可察觉电流的情况下进行。
60、本文从金属的标准电极电势，电离势分别讨论金属活动顺序。电势造句。
61、通过求解带缝的长直圆柱面电容器中的电势的拉普拉斯方程，讨论该电容器的电容计算公式。
62、本发明对底电极的修饰采用沟道半导体材料本身，减小了电极与沟道材料之间的接触电势差。
63、体系的态密度投影到半导体碳纳米管上，纳米管的能隙消失，电子在金属和碳纳米管之间转移的过程中不存在静电势垒。
64、同时地，高精度地形和表面电势测量由一个在高处支起的伺服系统完成。
65、每次带电粒子都被区域内的电势差加速。
66、结果表明，在这样的静电势阱中，囚禁中性冷原子是完全可能的。
67、利用测量电解液中降以计算电流密度的方法，测量了两种负极板的电流电势分布。
68、通过求解电势的拉普拉斯方程，讨论组合圆柱面电容中的电势、电荷和电容。
69、偏移电流补偿可消除开关接触电势，以及整个测量电路中的任何热电电压偏移。
70、通常，无论电池有无电流流过，两电极之间均具有可测量的电势差。
71、给出了两个异号点电荷的零电势面，由此讨论了在不带电的导体球外置一点电荷时的像电荷，进而推广到在不带电的导体球腔内置一点电荷时的像电荷。
72、研究了发泡金属电极的性质，得出了描述发泡金属电极床层中宏观反应速率、反应速率随时间的变化、床层中电解液的电势分布方程式。
73、用补偿法测量不同剂量的紫外照射后驻极体的表面电势。
74、介绍变频空调采用无传感器无刷直流电机作为压缩机的优越性，反电势检测的基本原理以及起动方法。
75、如果在两个接地点存在一个小的电势差，在系统的敏感部分就会有接地电流通过。
76、并得到了平衡问题的扇形板和扇形环板在两种边界条件下的位移、电势和磁势，应力、电位移和磁感应强度的三维精确解。
77、如果屏蔽和测量仪器之间存在一个交流电势差，则可能有电容性电流通过测量电路，增大干扰。
78、和接触电势一样，由于偏移电流而引起的小电流信号测量不确定度亦可计算获得。
79、根据不同工作状态下的内部电势、电子浓度和空穴浓度分布，解释了其型负阻特性的产生机理。
80、首先根据感应电动机的相量图，求出了在不同工况下感应电势与端电压之间的关系。
81、在模型基础上，研究了量子化效应对反型层载流子浓度和表面电势的影响。
82、此方法为药物和生化分子的静电势研究提供了便利的工具。
83、用四个点电荷构造一个简单、新颖的静电势阱，并基于含时薛定谔方程和有限差分时间域方法，研究冷原子在该势阱中的量子力学效应。
84、在铜净液工序中，采用控制阴极电势脱铜脱砷电积法，能有效抑制砷化氢的析出。
85、每个半反应都与相应电极上的界面电势差相呼应。
86、接触电势受环境温度变化以及开关卡上温度梯度的影响。
87、例如由重力势梯度给出的重力场,或由电势梯度给出的电场。
88、此外，不管导体的形状如何，导体或空心导体的内部各点都处于同一电势。
89、当受热时，通过某种叫做塞贝克效应的作用，很多半导体材料能够产生电势，而这种效应在碳中非常微弱。
90、术语“氧化还原”来自两种不同电解质之间的电化学电势。
91、通过使用一双与共振硅条相应的电脉冲以触发电势，这一组合便可以在两种振幅之间转换。
92、更精确地说，电势产生电场,这一观点是错误的,如果忽略变化磁场的存在的话。
93、引力能就是电势能，库伦电势。
94、现在以你们的知识，可能会说,电场旋度等于,因为它等于电势的梯度。
95、电势在电池间泵过，并被薄膜所分离。
96、一种电荷耦合器件，其中在器件的半导体-绝缘体界面处建立电势井。电荷沿着该界面传输。
97、引入椭球坐标系后，得到了均布载荷作用下未知位移间断和电势间断的解析解。
98、板材上的电荷,生成了薄片间的电场,这就是得到电势与电荷之间关系的方法。
99、该偏移电压被直接叠加到被切换信号上，这就意味着在切换非常低的电压时，接触电势会引起明显误差。
100、接触电势或热电效应偏移电压是设计用于低压切换的开关卡的关键技术指标。
